1. 死亡实验：当廉价 MOSFET 遇到 300kHz LLC 时 ▶ 任务：将 150W BJT 推挽式放大器升级为 LLC 谐振 ▶ 自杀设置：

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MOSFET: VBsemi VBGQA1602 (60V/3mΩ, $0.89)  Driver: Salvaged TI UCC27517  

▶ 咔嚓咔嚓！

• 10 分钟后，→ MOSFET 爆炸

• 示波器捕获 96V 尖峰（200% Vin！

[https://hackaday.io/project_image/233445]

2. 法医尸检：寄生电容杀人 尸体证据：门腿融化（图 2）。网络分析器测试：

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Death Certificate:  1. Cgd (internal) = 180pF  2. Loop inductance = 35nH (from 1cm trace)  3. Resonance: F_ring=1/(2π√(35nH×180pF))≈105MHz → Matches ringing!  

3. 0.2 美元的救赎：可口可乐罐 vs 电压尖峰 ▶ 黑客工具包：

• CPU 散热器铝屑→ EMI 屏蔽
• 以太网电缆的铁氧体环 （Z@100MHz=220Ω）
• 精密电阻？不！铅笔石墨阻尼（图 3）

▶ Mod 步骤：

1. 铝装甲：盖驱动走线 → L_stray↓18nH
2. 栅极铁氧体项链：3 次导通 Vgs 线→ 3× 阻抗提升
3. Graphite Voodoo： 铅笔拉制电阻器→ 5-25Ω 梯度缓冲器

▶ 胜利：从 96V→52V 的尖峰被削减（图 4）！成本：0.21 USD

4. 开源验证 KiCad+LTspice 仿真（下面的 Repo 链接）：

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[Critical Commands]  .param Cgd=180p L_loop=35n  .tran 0 100n 0 1n  .probe Vds Vgs  

结果：Sim vs 实际误差<8%（图 5）

5. 黑客挑战 🔥 赏金狩猎：

1. 用电子垃圾粉碎电压尖峰（赢 200 美元）
2. 升级石墨电阻器技术（最佳 Mod 获得 3D 打印奖杯）

完全开源：

• 原理图/PCB：GitHub
• MOSFET CT 扫描：Thingiverse
• 原始尖峰数据：CSV